日本 ORC HMW-615N-4 照射装置

日本  ORC   HMW-615N-4   照射装置

该装置在形成细微图案的过程中，如半导体制造和液晶基板制造过程中，将紫外线照射到基板表面残留有机物上，以在不接触的情况下去除有机污染。 你可以清洁和修改表面而不损坏电路板。

它配备了独特的低压紫外线灯，对基材的损伤最小，且具备高度分解有机物的能力。

通过振动基底的模式，紫外光强度均匀照射到基底上。

基材加热不大。

可采用臭氧切割和氮气净化方法。

使用的灯具 低压紫外线灯

VUV-100/A-5.3U 7灯

照射距离 25毫米

辐射区域 400W × 400D

曝光时间 可选（最长99分59秒）

废气臭氧去除 臭氧分解滤波器所用

外部尺寸 700（W） × 800（D） × 1447（H）